| Μπάλες βαλβίδας με επίστρωση καρβιδίου πυριτίου- | ||
| Εύρος Μεγεθών | 1/2" έως 56" (προσαρμοσμένα μεγέθη διαθέσιμα) | |
| Εκτίμηση πίεσης | PN10-PN420 (Κλάση 150-2500) | |
| Υλικό σώματος | A105, A350 LF2, A182 F304, A182 F316, A182 F321, A182 F51, A182 F53, A182 F55, A182 F60, A182 F44, A564 630 (17-4PH) INCONEL625, INCONEL718, INCONEL825, Monel 400, Monel 500 κ.λπ. |
|
| Διαδικασία πυρήνα/Επίστρωση | ENP,HCR,STL6, STL12, STL20,Cr3C2, WC-Co, WC-Cr3C2-Ni, TiC-NiMo, SiC, CrC,ZrO2, Al2O3, Cr2O3, ZnO, TiOLT, Al2O3, STL12, Ni60, Ni55, Ni45 κ.λπ. | |
| Εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας | Μικρότερο ή ίσο με 1200 μοίρες | |
| Κατηγορία παραμέτρων | Βασικές Τεχνικές Παράμετροι | Πρότυπα για τον προσδιορισμό προηγμένου τεχνολογικού επιπέδου |
| Ακρίβεια κατεργασίας μπάλας | Μικρότερο ή ίσο με 0,025 mm | Μικρότερο ή ίσο με 0,005 mm (Υπερ-Υψηλή Ακρίβεια) |
| Επεξεργασία στρογγυλότητας μπάλας | Μικρότερο ή ίσο με 0,025 mm | Μικρότερο ή ίσο με 0,011 mm (Μικρό-Επίπεδο ) |
| Ομοκεντρικότητα μπάλες | Μικρότερο ή ίσο με 0,025 mm | Μικρότερο ή ίσο με 0,005 mm (Υπερ-Υψηλή Ακρίβεια) |
| Άλλα συμπληρώματα | Μικρότερο ή ίσο με 0,4 μm | Λιγότερο ή ίσο με 0,1 μm (επίπεδο καθρέφτη-) |
| Κατηγορία παραμέτρων | Βασικές Τεχνικές Παράμετροι | Κριτήρια για Υψηλό-Τεχνικό Επίπεδο |
| Έλεγχος πάχους επίστρωσης | Ομοιομορφία πάχους | Απόκλιση πάχους σε οποιαδήποτε σφαιρική θέση Μικρότερη ή ίση με ±8% (αυστηρότερο από το γενικό πρότυπο ±10%) |
| Εύρος Ανοχής Πάχους | 100 - 300 μm (κοινό εύρος για στρώματα ανθεκτικά στη φθορά-). μπορούν να σημειωθούν ειδικές σειρές. Χωρίς χαμένο ψεκασμό για εξαιρετικά λεπτές επιστρώσεις (<10μm) | |
| Απόδοση πρόσφυσης επίστρωσης | Επιφανειακή Σκληρότητα | HV 1300+ |
| Δύναμη δεσμού Δύναμη δεσμού | Μεγαλύτερο ή ίσο με 80 MPa | |
| Interface PorosityInterface Porosity | <0.5% | |
| Ποιότητα Επιφάνειας Επικάλυψης | Τραχύτητα επιφάνειας (Ra) | Μικρότερο ή ίσο με 0,2 μm |
| Ακρίβεια ψεκασμού (τοποθέτηση και κάλυψη) | Ακρίβεια τοποθέτησης ψεκασμού | ±0,1 χλστ |
Προϊόντα πυρήνα: Ένα κρυσταλλικό κεραμικό φράγμα σχεδιασμένο για την ισχυρότερη διάβρωση και τριβή υψηλής θερμοκρασίας-
Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) διαθέτει όχι μόνο εξαιρετική σκληρότητα (σκληρότητα Mohs 9,2-9,5, δεύτερη μετά το διαμάντι) αλλά και απαράμιλλη αντοχή στη χημική διάβρωση και υψηλή{4}}αντοχή στην οξείδωση σε θερμοκρασία (που υπερβαίνει τους 1600 βαθμούς στον αέρα) μεταξύ των κεραμικών υλικών. Το μετατρέπουμε σε μια-επίστρωση υψηλής απόδοσης, ανοίγοντας μια νέα διάσταση στη διάβρωση- και ανθεκτικά στη φθορά υλικά.
Καθορισμός της απόλυτης ανοχής τόσο στα οξειδωτικά όσο και στα αναγωγικά οξέα
Η σφαίρα βαλβίδας με επίστρωση καρβιδίου πυριτίου εμφανίζει ανώτερη αντίσταση σε όλα σχεδόν τα γνωστά όξινα και αλκαλικά μέσα, συμπεριλαμβανομένων του υδροχλωρικού, θειικού, νιτρικού, υδροφθορικού οξέος (HF) και ακόμη και υδάτινων ειδών. Ιδιαίτερα για τη σφαίρα με επίστρωση SiC για σέρβις οξέος, η αξία της είναι αναντικατάστατη σε ακραία μέσα όπως το υδροφθορικό οξύ (HF) και το θερμό συμπυκνωμένο φωσφορικό οξύ (H3PO4), το οποίο μπορεί να διαλύσει τα περισσότερα κεραμικά οξειδίων, καθιστώντας το φύλακα κρίσιμων βαλβίδων στην υδρομεταλλουργία, την παραγωγή πολυπυριτίου και τη χημική βιομηχανία.
Ο απόλυτος πυρήνας με αντοχή στη φθορά και τη διάβρωση-για βαλβίδες πολτού υψηλής- θερμοκρασίας
Σε συνθήκες "κόλασης-που συνδυάζουν υψηλή θερμοκρασία, διάβρωση και σοβαρή φθορά-όπως κόκκινη λάσπη αλουμίνας, μαύρο νερό από χημικά άνθρακα και όξινες πολτούς υψηλής θερμοκρασίας-τα παραδοσιακά μέταλλα και οι συνηθισμένες κεραμικές επικαλύψεις αποτυγχάνουν γρήγορα. Η σφαίρα μας με επίστρωση SiC βαλβίδας υψηλής-θερμοκρασίας, αξιοποιώντας την εξαιρετικά-υψηλή σκληρότητα και την εξαιρετική της χημική αδράνεια, αντιστέκεται ταυτόχρονα στη χημική επίθεση από θερμά μέσα και στη φυσική φθορά από σκληρά σωματίδια, παρέχοντας διάρκεια ζωής που ξεπερνά κατά πολύ άλλα υλικά. Γίνεται το κλειδί για το ξεκλείδωμα των σημείων συμφόρησης σε τέτοιες διαδικασίες.
Εξαιρετική υψηλή-σταθερότητα θερμοκρασίας και αντοχή σε θερμικό σοκ
Η ισχύς του SiC αυξάνεται σε υψηλές θερμοκρασίες και διαθέτει χαμηλό συντελεστή θερμικής διαστολής και υψηλή θερμική αγωγιμότητα. Αυτό σημαίνει ότι η σφαίρα βαλβίδας με-αντοχή στη διάβρωση-με βάση το SiC παράγει πολύ χαμηλότερη εσωτερική θερμική καταπόνηση υπό σοβαρό θερμικό κύκλωμα σε σύγκριση με άλλα κεραμικά, προσδίδοντάς της εξαιρετική αντοχή σε θερμικό σοκ. Είναι ιδανική για βαλβίδες διεργασίας που υπόκεινται σε γρήγορες αλλαγές θερμοκρασίας ή σε κυκλική{4}}υψηλή θερμοκρασία.
Tribological Performance Beyond Traditional Materials
Η επιφάνεια επίστρωσης SiC μπορεί να φινιριστεί με γυαλιστικό καθρέφτη σχεδόν-οπτικής ποιότητας. Έχει επίσης χαμηλό συντελεστή τριβής και καλές ιδιότητες αυτο-λίπανσης. Αυτό όχι μόνο διευκολύνει την ομαλότερη λειτουργία της βαλβίδας και την πιο αξιόπιστη στεγανοποίηση, αλλά μειώνει επίσης σημαντικά την τοπική θέρμανση και την πιθανή υποβάθμιση του υλικού που προκαλείται από τη θερμότητα τριβής.
Τεχνική εστίαση: Εξαιρετικά-Ψεκασμός και μετά την υψηλού επιπέδου θερμοκρασία-Διαδικασίες συμπύκνωσης για επιστρώσεις SiC υψηλής απόδοσης-
Η επίτευξη μιας επίστρωσης με ισχυρή πρόσφυση υψηλής-σκληρότητας, υψηλού{1}}σημείου τήξης-SiC σε μεταλλικό υπόστρωμα είναι μια πρόκληση-αιχμής στη μηχανική επιφανειών. Χρησιμοποιούμε μια μοναδική διαδρομή διαδικασίας που συνδυάζει
Εξαιρετικά-Ψεκασμός πλάσματος υψηλών θερμοκρασιών (π.χ. VLPPS) με ενίσχυση μετά την-θεραπεία.
Εξαιρετικά-Πλήρης τήξη σε υψηλή θερμοκρασία και ελεγχόμενη αντιδραστική ατμόσφαιρα:
Χρησιμοποιούμε εξειδικευμένο εξοπλισμό ψεκασμού πλάσματος που παράγει ακραίες θερμοκρασίες (θερμοκρασία πυρήνα που υπερβαίνει τους 20.000 βαθμούς ) για να διασφαλίσουμε ότι η σκόνη SiC είναι πλήρως λιωμένη και όχι ημι-λιωμένη. Ο ψεκασμός διεξάγεται κάτω από μια αδρανή ή αναγωγική προστατευτική ατμόσφαιρα, αποτρέποντας αυστηρά την οξείδωση του SiC σε πορώδες SiO2 σε υψηλές θερμοκρασίες, εξασφαλίζοντας έτσι την καθαρότητα της επίστρωσης και την εγγενή απόδοση.
In-Σχεδίαση δομών επιτόπιας αντίδρασης και σύνθετης επίστρωσης:
Για να επιτύχουμε υψηλότερη αντοχή και σκληρότητα συγκόλλησης, χρησιμοποιούμε τεχνικές αντιδραστικού ψεκασμού ή προσθέτουμε συγκεκριμένα μεταλλικά στοιχεία (π.χ. τιτάνιο, χρώμιο) στη σκόνη SiC. Αυτό διευκολύνει τον-τοπικό σχηματισμό μιας σκληρής διεπιφανειακής στρώσης μεταλλικού πυριτίου ή σύνθετων φάσεων κατά τη διάρκεια του ψεκασμού. Αυτή η «εσωτερικά αναπτυσσόμενη» μεταβατική στρώση επιτυγχάνει ένα άλμα από τη φυσική συγκόλληση στη χημική/μεταλλουργική σύνδεση μεταξύ επικάλυψης και υποστρώματος.
Υπερ-Στόχος υψηλής πίεσης-Θεραπεία για Θεωρητική Πύκνωση:
Αν και η επίστρωση SiC που ψεκάζεται-είναι πυκνή, εφαρμόζουμε περαιτέρω την Ultra-Υψηλή πίεση θερμής ισοστατικής πίεσης (UHP-HIP) ως μετα-θεραπεία. Κάτω από χιλιάδες ατμόσφαιρες πίεσης και υψηλής θερμοκρασίας, οι υπολειπόμενοι μικρο-πόροι εντός της επικάλυψης καταρρέουν και κλείνουν εντελώς. Η πυκνότητα της επίστρωσης προσεγγίζει τη θεωρητική τιμή του υλικού SiC, με αποτέλεσμα ένα ποιοτικό άλμα στην αντοχή του στη διάβρωση της διείσδυσης και στις συνολικές μηχανικές ιδιότητες.
Γιατί η επίστρωση με βάση το καρβίδιο του πυριτίου-του TongBall είναι η απόλυτη απάντηση στα διπλά όρια διάβρωσης και φθοράς;
Πρωτοπόρος στην επιστήμη υλικών ακραίων-Κατάστασης:
Δεν είμαστε ικανοποιημένοι με τη βελτιστοποίηση στα υπάρχοντα συστήματα υλικών. Δεσμευόμαστε να εισάγουμε με επιτυχία προηγμένα δομικά/λειτουργικά κεραμικά όπως το SiC-που χρησιμοποιούνται αρχικά στην αεροδιαστημική και στους ημιαγωγούς-για την επίλυση των πιο δυσεπίλυτων προκλήσεων σύνθετου υλικού "διάβρωση + φθορά + υψηλή θερμοκρασία" σε βιομηχανικές βαλβίδες.
Κυριαρχία των βασικών δυνατοτήτων σε εξαιρετικά-Ψεκασμό και ανάρτηση σε υψηλή θερμοκρασία-πύκνωση:
Διαθέτουμε και διαχειριζόμαστε μια σπάνια οικιακή αλυσίδα εξειδικευμένου ψεκαστικού και μετα{0}}εξοπλισμού επεξεργασίας ικανού να χειρίζεται υλικά εξαιρετικά-υψηλής θερμοκρασίας όπως το SiC. Δεν πρόκειται για απλή εφαρμογή τυπικών διαδικασιών, αλλά για βαθιά προσαρμογή και καινοτομία διαδικασίας προσαρμοσμένης σε συγκεκριμένες ιδιότητες υλικού.
Αποστολή-Καθοδηγείται να παρέχει "Λύσεις" για "Μη επιλυμένες συνθήκες":
Εστιάζουμε σε σημεία πόνου όπου οι συχνές απρογραμμάτιστες διακοπές λειτουργίας ή ακόμη και οι περιορισμένες επιλογές διεργασιών προκύπτουν από την έλλειψη κατάλληλων υλικών. Η επιλογή της λύσης επίστρωσης SiC σημαίνει πραγματοποίηση στρατηγικής επένδυσης υλικών με στόχο τον ουσιαστικό τερματισμό συγκεκριμένων τρόπων αστοχίας και το ξεκλείδωμα των δυνατοτήτων της διαδικασίας.
Όταν η διαβρωτικότητα, η λειαντικότητα και η υψηλή θερμοκρασία ξεκινούν μια συντονισμένη επίθεση
Εάν τα εσωτερικά των βαλβίδων σας χειρίζονται ισχυρά οξέα που βράζουν, λειαντικά πολτούς υψηλής{{0} θερμοκρασίας ή οποιοδήποτε μέσο "σύνθετου φονέα" αρκετά ισχυρό ώστε να διαβρώνει γρήγορα τον ανοξείδωτο χάλυβα και να φθείρεται γρήγορα τα σκληρά κράματα, τότε οι συμβατικές διαδρομές αναβάθμισης υλικού μπορεί να έχουν φτάσει στο τέλος τους. Η τεχνολογία επίστρωσης με βάση το καρβίδιο του πυριτίου-της TongBall αντιπροσωπεύει μια φιλοσοφία μηχανικής χρήσης της εγγενούς ακραίας χημικής και φυσικής σταθερότητας ενός υλικού για την κατασκευή της απόλυτης άμυνας. Στοχεύει στην παροχή ενός συμπαγούς, αξιόπιστου περιστρεφόμενου πυρήνα για διαδικασίες που κάποτε θεωρούνταν "μη-αδύνατες-βαλβίδας".
Δημοφιλείς Ετικέτες: μπάλες βαλβίδας με επίστρωση καρβιδίου πυριτίου-, κατασκευαστές μπάλες βαλβίδας με επίστρωση καρβιδίου πυριτίου- Κίνας, εργοστάσιο
